Em Santa Clara, a Samsung mostrou um protótipo com mais de 400 camadas e nova colagem de wafers. Segundo a empresa, a solução aumenta densidade e acelera cargas de IA.
A Samsung Electronics anunciou, nesta terça-feira (4), uma nova geração de tecnologia de memória voltada para inteligência artificial, reforçando sua posição de liderança na fabricação de chips desse segmento. A apresentação ocorreu durante a conferência Future of Memory and Storage (FMS) em Santa Clara, Califórnia.
O protótipo, denominado V10 Bonding V-NAND, ou BV-NAND, é um chip que conta com mais de 400 camadas e uma inovadora arquitetura de colagem de wafers, que visa aumentar a densidade de armazenamento e melhorar o desempenho. Com o crescimento das cargas de trabalho em IA, que não se limitam apenas ao treinamento de grandes modelos de linguagem, mas também incluem a geração de respostas a consultas de usuários, a demanda por memória NAND de alta capacidade tem se intensificado.
A memória flash NAND é amplamente utilizada para armazenar dados como fotos, vídeos e aplicativos em dispositivos móveis, como smartphones. A Samsung destacou que sua nova tecnologia BV-NAND proporciona um aumento de cerca de 58% na densidade de memória em comparação com sua tecnologia anterior, V9 NAND. Além disso, a nova solução melhora o desempenho de leitura, gravação e entrada/saída, atendendo à crescente exigência de sistemas de IA que necessitam de armazenamento mais eficiente em termos de energia.
Durante o evento, a empresa também apresentou modelos conceituais da primeira arquitetura zHBM e zNAND-O do setor, que visam criar uma memória 3D de próxima geração, empilhando células de memória verticalmente para armazenar uma quantidade maior de dados. Diferente da memória de alta largura de banda convencional, que é instalada ao lado dos processadores de IA, a zHBM da Samsung empilha a memória verticalmente acima dos aceleradores de IA, reduzindo a distância que os dados precisam percorrer, o que resulta em uma maior largura de banda e eficiência energética.
A companhia afirmou que sua tecnologia de colagem de wafers pode possibilitar uma densidade de memória mais de 10 vezes superior à da memória HBM5 convencional, triplicando a eficiência energética e reduzindo a resistência térmica pela metade. Apesar das preocupações de alguns investidores em relação à demanda de longo prazo por chips de memória, especialmente com a diminuição da demanda por smartphones na China, analistas têm ressaltado a força excepcional da demanda por inteligência artificial.
Recentemente, a Samsung divulgou que contratos de longo prazo com clientes podem representar entre 60% e 70% de suas vendas de memória. Analistas do Citi também mencionaram que os estoques nas cadeias de suprimentos de DRAM e NAND permanecem bem abaixo dos níveis históricos, mesmo diante da desaceleração da demanda do mercado consumidor.
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